На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DSS5240T-7 | DSS5240V-7 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 | SOT-563 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <2 А | <1.8 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <40 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <600 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 2A, 2V | >300Ic, Vce = 100mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <350 мВIb, Ic = 200mA, 2A | <530 мВIb, Ic = 200mA, 2A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | <150 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | <100 нА |