На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DSS5160U-7 | DSS5160V-7 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-323 | SOT-563 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <60 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <400 мВт | <600 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 1A, 5V | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <340 мВIb, Ic = 100mA, 1A | <330 мВIb, Ic = 100mA, 1A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <150 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 нА | |