DSS20201L-7

DSS20201, DSS20201L-7

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDSS20201L-7
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<2 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<20 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<600 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>200Ic, Vce = 500mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<100 мВIb, Ic = 200mA, 2A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<150 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN