На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DNBT8105-7 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <60 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <600 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 500mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 50mA, 500mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <150 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 нА |