DMJT9435

DMJT9435, DMJT9435-13

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDMJT9435-13
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<3 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<30 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1.2 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>90Ic, Vce = 3A, 1V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<550 мВIb, Ic = 300mA, 3A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<160 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP