BUV21G

BUV21, BUV21G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBUV21G
Корпус микросхемы
Корпус
TO-204, TO-3
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<40 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<200 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<250 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>20Ic, Vce = 12A, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<600 мВIb, Ic = 1.2A, 12A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<8 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<3 мА