BUT90

BUT90

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBUT90
Корпус микросхемы
Корпус
TO-204, TO-3
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<50 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<125 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<250 Вт
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<900 мВIb, Ic = 1.75A, 35A
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN