На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BUT12A | BUT12AI,127 | BUT12ATU | BUT12AX,127 | BUT12TU | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220AB-3 | TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 (Straight Leads) |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | В отверстия |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <8 А | ||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <450 В | <450 В | <450 В | <450 В | <400 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <100 Вт | <110 Вт | <100 Вт | <23 Вт | <100 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | (не задано) | >10Ic, Vce = 10mA, 5V | (не задано) | >10Ic, Vce = 10mA, 5V | (не задано) |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.5 ВIb, Ic = 1.2A, 6A | <1.5 ВIb, Ic = 860mA, 5A | <1.5 ВIb, Ic = 1.2A, 6A | <1.5 ВIb, Ic = 1A, 5A | <1.5 ВIb, Ic = 1.2A, 6A |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <1 мА | ||||