На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BUT11A | BUT11AFTU | BUT11AI,127 | BUT11APX-1200,127 | BUT11APX,127 | BUT11ATU | BUT11FTU | BUT11TU | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220AB-3 | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads) |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <5 А | <5 А | <5 А | <6 А | <5 А | <5 А | <5 А | <5 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <450 В | <450 В | <450 В | <550 В | <450 В | <450 В | <400 В | <400 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <100 Вт | <40 Вт | <100 Вт | <32 Вт | <32 Вт | <100 Вт | <40 Вт | <100 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | (не задано) | (не задано) | >10Ic, Vce = 5mA, 5V | >13Ic, Vce = 1mA, 5V | >10Ic, Vce = 5mA, 5V | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.5 ВIb, Ic = 600mA, 3A | <1.5 ВIb, Ic = 500mA, 2.5A | <1.5 ВIb, Ic = 330mA, 2.5A | <1 ВIb, Ic = 400mA, 2A | <250 мВIb, Ic = 600mA, 3A | <1.5 ВIb, Ic = 600mA, 3A | <1.5 ВIb, Ic = 600mA, 3A | <1.5 ВIb, Ic = 600mA, 3A |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <1 мА | |||||||