BULD742

BULD742, BULD742CT4

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBULD742CT4
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<4 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<400 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<45 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>25Ic, Vce = 800mA, 3V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 1A, 3.5A
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<250 мкА