BULB7216-1

BULB7216, BULB7216-1, BULB7216T4

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBULB7216-1BULB7216T4
Корпус микросхемы
Корпус
I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияПоверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<3 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<700 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<80 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>16Ic, Vce = 500mA, 3V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<3 ВIb, Ic = 80mA, 800mA
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<100 мкА