BUL128D-B

BUL128, BUL128D-B, BUL128FP, BUL128-K

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBUL128D-BBUL128FPBUL128-K
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<4 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<400 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<70 Вт<31 Вт<70 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>12Ic, Vce = 2A, 5V>10Ic, Vce = 10mA, 5V>10Ic, Vce = 10mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 500mA, 2.5A<700 мВIb, Ic = 100mA, 500mA<1.5 ВIb, Ic = 500mA, 2.5A
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<250 мкА<100 мкА<100 мкА