BUL1203

BUL1203, BUL1203E, BUL1203EFP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBUL1203EBUL1203EFP
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<5 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<550 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<100 Вт<36 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>10Ic, Vce = 1mA, 5V>14Ic, Vce = 800mA, 3V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 200mA, 1A<700 мВIb, Ic = 400mA, 2A
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<100 мкА