BUJ303A,127

BUJ303, BUJ303A,127, BUJ303B,127

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBUJ303A,127BUJ303B,127
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220AB-3
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<5 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<500 В<400 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<100 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>10Ic, Vce = 5mA, 5V>10.5Ic, Vce = 3A, 1.5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 600mA, 3A<1.5 ВIb, Ic = 1A, 3A
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
(не задано)<1 мкА