На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BUJ105A,127 | BUJ105AB,118 | BUJ105AD,118 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220AB-3 | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <8 А | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <400 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <80 Вт | <125 Вт | <80 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >10Ic, Vce = 1mA, 5V | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1 ВIb, Ic = 800mA, 4A | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 мкА | ||