На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BUJ100,126 | BUJ100,412 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <400 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <2 Вт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >9Ic, Vce = 750mA, 5V | >11Ic, Vce = 10mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1 ВIb, Ic = 150mA, 750mA | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 мкА | |