На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BUB323Z | BUB323ZG | BUB323ZT4 | BUB323ZT4G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <10 А | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <350 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 Вт | |||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >500Ic, Vce = 5A, 4.6V | >500Ic, Vce = 5A, 4.6V | >500Ic, Vce = 5A, 4.6V | >150Ic, Vce = 6.5A, 1.5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.6 ВIb, Ic = 70mA, 7A | <1.6 ВIb, Ic = 70mA, 7A | <1.6 ВIb, Ic = 70mA, 7A | <1.7 ВIb, Ic = 250mA, 10A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <2 МГц | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Darlington | |||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 мкА | |||