BU508A

BU508, BU508A, BU508AF, BU508AFI, BU508AFTBTU, BU508AW

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBU508ABU508AFBU508AFIBU508AFTBTUBU508AW
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247-3ISOWATT218FXISOWATT-218-3TO-3PF-3TO-247
Производитель
Производитель
STMicroelectronicsSTMicroelectronicsSTMicroelectronicsFairchild SemiconductorSTMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<8 А<15 А<8 А<5 А<8 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<700 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<150 Вт<50 Вт<150 Вт<60 Вт<125 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
(не задано)>10Ic, Vce = 100mA, 5V>10Ic, Vce = 100mA, 5V>2.25Ic, Vce = 4.5A, 5V>10Ic, Vce = 100mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1 ВIb, Ic = 2A, 4.5A<1 ВIb, Ic = 1.6A, 4.5A<1 ВIb, Ic = 2A, 4.5A<1 ВIb, Ic = 2A, 4.5A<1 ВIb, Ic = 1.6A, 4.5A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<7 МГц(не задано)<7 МГц(не задано)(не задано)
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<1 мА<200 мкА<1 мА<1 мА<200 мкА