BSV52

BSV52, BSV52,215, BSV52_D87Z, BSV52LT1, BSV52LT1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBSV52,215BSV52_D87ZBSV52LT1BSV52LT1G
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Производитель
Производитель
NXP SemiconductorsFairchild SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА<200 мА<100 мА<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<12 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<250 мВт<225 мВт<300 мВт<300 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>25Ic, Vce = 1mA, 1V>40Ic, Vce = 10mA, 1V>40Ic, Vce = 10mA, 1V>25Ic, Vce = 1mA, 1V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 10mA, 1mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<300 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<500 МГц<400 МГц<400 МГц<400 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN