На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BST52,115 | BST52,135 | BST52TA | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-89-3, TO-243-3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Diodes/Zetex |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | <1 А | <500 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <80 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1.3 Вт | <1.3 Вт | <1 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >1000Ic, Vce = 150mA, 10V | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.3 ВIb, Ic = 500µA, 500mA | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | <200 МГц | (не задано) |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Darlington | ||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | (не задано) | <10 мкА |