На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSS64,215 | BSS64LT1 | BSS64LT1G | BSS64TA | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Diodes/Zetex |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <80 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | <225 мВт | <300 мВт | <330 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >20Ic, Vce = 10mA, 1V | |||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <150 мВIb, Ic = 400µA, 4mA | <150 мВIb, Ic = 400µA, 4mA | <150 мВIb, Ic = 400µA, 4mA | <200 мВIb, Ic = 15mA, 50mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | <60 МГц | <60 МГц | <100 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||