На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSS63,215 | BSS63LT1G | BSS63TA | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ON Semiconductor | Diodes/Zetex |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <100 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | <300 мВт | <330 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >30Ic, Vce = 10mA, 1V | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 2.5mA, 25mA | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <85 МГц | <95 МГц | <85 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | <10 мкА | (не задано) |