На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSP61,115 | BSP61E6327 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <60 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1.25 Вт | <1.5 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >1000Ic, Vce = 150mA, 10V | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.3 ВIb, Ic = 500µA, 500mA | <1.3 ВIb, Ic = 550µA, 500mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Darlington | |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | <10 мкА |