На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSP52,115 | BSP52E6327 | BSP52T1 | BSP52T1G | BSP52T3 | BSP52T3G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | |||||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | |||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <80 В | |||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1.25 Вт | <1.5 Вт | <800 мВт | <800 мВт | <800 мВт | <800 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >1000Ic, Vce = 150mA, 10V | |||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.3 ВIb, Ic = 500µA, 500mA | |||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | <200 МГц | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Darlington | |||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <50 нА | <10 мкА | <10 мкА | <10 мкА | <10 мкА | <10 мкА |