На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSP19,115 | BSP19AT1 | BSP19AT1G | BSP19TA | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | |||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Diodes/Zetex |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <500 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <350 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1.2 Вт | <800 мВт | <800 мВт | <2 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >40Ic, Vce = 20mA, 10V | >40Ic, Vce = 20mA, 10V | >40Ic, Vce = 20mA, 10V | >40Ic, Vce = 20mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 4mA, 50mA | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <70 МГц | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||