На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BF824,215 | BF824,235 | BF824W,135 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <25 мА | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <30 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | <250 мВт | <200 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <350 МГц | <350 МГц | <250 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||