На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BF820,215 | BF820,235 | BF820W,115 | BF820W,135 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <50 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <300 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | <250 мВт | <200 мВт | <200 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >50Ic, Vce = 25mA, 20V | |||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <600 мВIb, Ic = 5mA, 30mA | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <60 МГц | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||