BDX53

BDX53, BDX53ATU, BDX53B, BDX53BG, BDX53BTU, BDX53C, BDX53CG, BDX53CTU, BDX53TU

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBDX53ATUBDX53BBDX53BGBDX53BTUBDX53CBDX53CGBDX53CTUBDX53TU
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
Fairchild SemiconductorSTMicroelectronicsON SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<8 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В<80 В<80 В<80 В<100 В<100 В<100 В<45 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<60 Вт<60 Вт<65 Вт<60 Вт<65 Вт<65 Вт<60 Вт<60 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>750Ic, Vce = 3A, 3V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<2 ВIb, Ic = 12mA, 3A
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Darlington
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<500 мкА<500 мкА<500 мкА<500 мкА<500 мкА<500 нА<500 мкА<500 мкА