На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BDX34A | BDX34B | BDX34BG | BDX34BTSTU | BDX34BTU | BDX34C | BDX34CG | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | ||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <10 А | ||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <60 В | <80 В | <80 В | <80 В | <80 В | <100 В | <100 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <70 Вт | ||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >750Ic, Vce = 4A, 3V | >750Ic, Vce = 3A, 3V | >750Ic, Vce = 3A, 3V | >750Ic, Vce = 3A, 3V | >750Ic, Vce = 3A, 3V | >750Ic, Vce = 3A, 3V | >750Ic, Vce = 3A, 3V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <2.5 ВIb, Ic = 8mA, 4A | <2.5 ВIb, Ic = 6mA, 3A | <2.5 ВIb, Ic = 6mA, 3A | <2.5 ВIb, Ic = 6mA, 3A | <2.5 ВIb, Ic = 6mA, 3A | <2.5 ВIb, Ic = 6mA, 3A | <2.5 ВIb, Ic = 6mA, 3A |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | PNP Darlington | PNP Darlington | PNP | PNP | PNP | PNP Darlington |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <500 мкА | ||||||