На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BDV65B | BDV65BG | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-93, TO-218 (Straight Leads) | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <10 А | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <100 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <125 Вт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >1000Ic, Vce = 5A, 4V | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <2 ВIb, Ic = 20mA, 5A | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Darlington | |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <1 мА | |