На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BD682G | BD682S | BD682STU | BD682T | BD682TG | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-32-3, TO-126-3, TO-225-3 | SOT-32-3, TO-126-3, TO-126-3 (Straight Leads) | SOT-32-3, TO-126-3, TO-126-3 (Straight Leads) | SOT-32-3, TO-126-3, TO-225-3 | SOT-32-3, TO-126-3, TO-225-3 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <4 А | ||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <100 В | ||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <40 Вт | <14 Вт | <14 Вт | <40 Вт | <40 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >750Ic, Vce = 1.5A, 3V | ||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <2.5 ВIb, Ic = 1.5A, 30mA | <2.5 ВIb, Ic = 30mA, 1.5A | <2.5 ВIb, Ic = 30mA, 1.5A | <2.5 ВIb, Ic = 1.5A, 30mA | <2.5 ВIb, Ic = 1.5A, 30mA |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Darlington | ||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <500 мкА | ||||