На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BD681G | BD681S | BD681STU | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-225-3, TO-225-3 | TO-225-3, TO-126-3 (Straight Leads) | TO-225-3, TO-126-3 (Straight Leads) |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <4 А | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <100 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <40 Вт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >750Ic, Vce = 1.5A, 3V | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <2.5 ВIb, Ic = 30mA, 1.5A | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Darlington | ||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <500 мкА | ||