На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BD678A | BD678AG | BD678AS | BD678G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-225-3, SOT-32-3, TO-126-3 | TO-225-3, TO-225-3 | TO-225-3, TO-126-3 (Straight Leads) | TO-225-3, TO-225-3 |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <4 А | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <60 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <40 Вт | <40 Вт | <14 Вт | <40 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >750Ic, Vce = 2A, 3V | >750Ic, Vce = 2A, 3V | >750Ic, Vce = 2A, 3V | >750Ic, Vce = 1.5A, 3V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <2.8 ВIb, Ic = 40mA, 2A | <2.8 ВIb, Ic = 40mA, 2A | <2.8 ВIb, Ic = 40mA, 2A | <2.5 ВIb, Ic = 30mA, 1.5A |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Darlington | |||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <500 мкА | |||