BD435S

BD435, BD435G, BD435S, BD435STU

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBD435GBD435SBD435STU
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-32-3, TO-126-3, TO-225-3SOT-32-3, TO-126-3, TO-126-3 (Straight Leads)SOT-32-3, TO-126-3, TO-126-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
ON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<4 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<32 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<36 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>40Ic, Vce = 10mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 200mA, 2A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<3 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<100 мкА