BD242

BD242, BD242ATU, BD242B, BD242BG, BD242C, BD242CG, BD242CTU, BD242TU

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBD242ATUBD242BBD242BGBD242CBD242CGBD242CTUBD242TU
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
Fairchild SemiconductorSTMicroelectronicsON SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<3 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В<80 В<80 В<100 В<100 В<100 В<45 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<40 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>10Ic, Vce = 3A, 4V>25Ic, Vce = 1A, 4V>25Ic, Vce = 1A, 4V>10Ic, Vce = 3A, 4V>25Ic, Vce = 1A, 4V>10Ic, Vce = 3A, 4V>10Ic, Vce = 3A, 4V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.2 ВIb, Ic = 600mA, 3A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
(не задано)<3 МГц<3 МГц<3 МГц<3 МГц(не задано)(не задано)
Структура биполярного транзистора
Структура
PNPNPNPNPPNPPNPPNPPNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<300 мкА<300 мкА<200 мкА<300 мкА<200 мкА<300 мкА<300 мкА