На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BD241A | BD241A-A | BD241ATU | BD241BTU | BD241C | BD241CG | BD241CTU | BD241TU | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | |||||||
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | STMicroelectronics | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <3 А | |||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <60 В | <60 В | <60 В | <80 В | <100 В | <100 В | <100 В | <45 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <40 Вт | |||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >10Ic, Vce = 3A, 4V | >10Ic, Vce = 3A, 4V | >10Ic, Vce = 3A, 4V | >10Ic, Vce = 3A, 4V | >25Ic, Vce = 1A, 4V | >25Ic, Vce = 1A, 4V | >10Ic, Vce = 3A, 4V | >10Ic, Vce = 3A, 4V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.2 ВIb, Ic = 600mA, 3A | |||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <3 МГц | <3 МГц | (не задано) | (не задано) |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <300 мкА | <300 мкА | <300 мкА | <300 мкА | <200 мкА | <200 мкА | <300 мкА | <300 мкА |