BCY59VIII

BCY59, BCY59IX, BCY59VIII, BCY59X

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBCY59IXBCY59VIIIBCY59X
Корпус микросхемы
Корпус
TO-18
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<200 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<45 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<390 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>40Ic, Vce = 10µA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<700 мВIb, Ic = 2.5mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<200 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<10 нА