BCX71GE6327

BCX71, BCX71G, BCX71GE6327, BCX71H,215, BCX71H,235, BCX71HE6327, BCX71J, BCX71J,215, BCX71J,235, BCX71J_D87Z, BCX71JE6327, BCX71JE6433, BCX71JLT1, BCX71JLT1G, BCX71JT116, BCX71K, BCX71K,215, BCX71K,235, BCX71K_D87Z, BCX71KE6327, BCX71KTA

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBCX71GBCX71GE6327BCX71H,215BCX71H,235BCX71HE6327BCX71JBCX71J,215BCX71J,235BCX71J_D87ZBCX71JE6327BCX71JE6433BCX71JLT1BCX71JLT1GBCX71JT116BCX71KBCX71K,215BCX71K,235BCX71K_D87ZBCX71KE6327BCX71KTA
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Производитель
Производитель
Fairchild SemiconductorInfineon TechnologiesNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorRohm SemiconductorFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesDiodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<200 мА<500 мА<100 мА<100 мА<500 мА<100 мА<200 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<45 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<350 мВт<330 мВт<250 мВт<250 мВт<330 мВт<350 мВт<250 мВт<250 мВт<350 мВт<330 мВт<330 мВт<350 мВт<350 мВт(не задано)<350 мВт<250 мВт<250 мВт<350 мВт<330 мВт<330 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>120Ic, Vce = 2mA, 5V>20Ic, Vce = 10µA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>30Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>40Ic, Vce = 10µA, 5V>40Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>40Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA(не задано)<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
(не задано)<250 МГц<100 МГц<100 МГц<250 МГц(не задано)<100 МГц<100 МГц(не задано)<250 МГц<250 МГц(не задано)(не задано)<180 МГц(не задано)<100 МГц<100 МГц(не задано)<250 МГц<180 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<20 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<20 нА(не задано)(не задано)<20 нА(не задано)(не задано)<20 нА<20 нА(не задано)<20 нА(не задано)(не задано)<20 нА(не задано)<20 нА