BCX70

BCX70, BCX70G, BCX70G,215, BCX70GE6327, BCX70H, BCX70H,215, BCX70H,235, BCX70H_D87Z, BCX70HE6327, BCX70HE6433, BCX70J, BCX70J,215, BCX70J,235, BCX70JE6327, BCX70JE6433, BCX70JT116, BCX70K, BCX70K,215, BCX70K,235, BCX70KE6327, BCX70KTA

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBCX70GBCX70G,215BCX70GE6327BCX70HBCX70H,215BCX70H,235BCX70H_D87ZBCX70HE6327BCX70HE6433BCX70JBCX70J,215BCX70J,235BCX70JE6327BCX70JE6433BCX70JT116BCX70KBCX70K,215BCX70K,235BCX70KE6327BCX70KTA
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Производитель
Производитель
Fairchild SemiconductorNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesRohm SemiconductorFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesDiodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<200 мА<100 мА<100 мА<200 мА<100 мА<100 мА<200 мА<100 мА<100 мА<200 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<200 мА<200 мА<100 мА<100 мА<100 мА<200 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<45 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<350 мВт<250 мВт<330 мВт<350 мВт<250 мВт<250 мВт<350 мВт<330 мВт<330 мВт<350 мВт<250 мВт<250 мВт<330 мВт<330 мВт<200 мВт<350 мВт<250 мВт<250 мВт<330 мВт<330 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>20Ic, Vce = 10µA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>20Ic, Vce = 10µA, 5V>20Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>40Ic, Vce = 10µA, 5V>40Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<125 МГц<250 МГц<250 МГц<125 МГц<250 МГц<250 МГц<125 МГц<250 МГц<250 МГц<125 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<125 МГц<125 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<20 нА(не задано)(не задано)<20 нА(не задано)(не задано)<20 нА(не задано)(не задано)<20 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<100 нА<20 нА(не задано)(не задано)(не задано)<20 нА