BCX55-16,115

BCX55, BCX55-10,115, BCX55,115, BCX55-16,115, BCX55-16,135, BCX55-16E6327, BCX55-16E6433, BCX55E6327

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBCX55-10,115BCX55,115BCX55-16,115BCX55-16,135BCX55-16E6327BCX55-16E6433BCX55E6327
Корпус микросхемы
Корпус
SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-89SOT-89SOT-89
Производитель
Производитель
NXP SemiconductorsNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesInfineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<2 Вт<1 Вт<1 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>63Ic, Vce = 150mA, 2V>63Ic, Vce = 150mA, 2V>100Ic, Vce = 150mA, 2V>100Ic, Vce = 150mA, 2V>100Ic, Vce = 150mA, 2V>100Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<180 МГц<180 МГц<180 МГц<180 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN