На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BCX51-10,115 | BCX51,115 | BCX51-16,115 | BCX51-16,135 | BCX51-16E6327 | BCX51E6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-89 | SOT-89 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | |||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | |||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <650 мВт | <650 мВт | <650 мВт | <650 мВт | <1 Вт | <1 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | |||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <145 МГц | <145 МГц | <145 МГц | <145 МГц | <125 МГц | <125 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||||