На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BCX42E6327 | BCX42E6433 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <800 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <125 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <330 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >25Ic, Vce = 100µA, 1V | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <900 мВIb, Ic = 30mA, 300mA | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <150 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |