На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BCW67AE6327 | BCW67BE6327 | BCW67CE6327 | BCW67CTA | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Diodes/Zetex |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <800 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <32 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <330 мВт | |||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | <200 МГц | <200 МГц | <100 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <20 нА |