BCW66FE6327

BCW66, BCW66FE6327, BCW66G, BCW66G_D87Z, BCW66GE6327, BCW66GLT1, BCW66GLT1G, BCW66GLT3G, BCW66HB6327, BCW66HE6327, BCW66HTA, BCW66HTC, BCW66KFE6327, BCW66KGE6327, BCW66KGE6433, BCW66KHB6327, BCW66KHE6327

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		BCW66FE6327	BCW66G	BCW66G_D87Z	BCW66GE6327	BCW66GLT1	BCW66GLT1G	BCW66GLT3G	BCW66HB6327	BCW66HE6327	BCW66HTA	BCW66HTC	BCW66KFE6327	BCW66KGE6327	BCW66KGE6433	BCW66KHB6327	BCW66KHE6327
Корпус микросхемы	Корпус	SOT-23	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23	SOT-23	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23	SOT-23	SOT-23	SOT-23	SOT-23
Производитель	Производитель	Infineon Technologies	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Infineon Technologies	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Diodes/Zetex	Diodes/Zetex	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора	I_C	<800 мА	<1 А	<1 А	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<45 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<330 мВт	<350 мВт	<350 мВт	<330 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<330 мВт	<330 мВт	<330 мВт	<330 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	>100Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>100Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора	U_CE-sat	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA	<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA	<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<170 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<170 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<170 МГц	<170 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<170 МГц	<170 МГц	<170 МГц	<170 МГц	<170 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	NPN
Ток отсечки коллектора	I_frc	(не задано)	<20 нА	<20 нА	(не задано)	<20 нА	<20 нА	<20 нА	(не задано)	(не задано)	<20 нА	<20 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)