На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BCW66FE6327 | BCW66G | BCW66G_D87Z | BCW66GE6327 | BCW66GLT1 | BCW66GLT1G | BCW66GLT3G | BCW66HB6327 | BCW66HE6327 | BCW66HTA | BCW66HTC | BCW66KFE6327 | BCW66KGE6327 | BCW66KGE6433 | BCW66KHB6327 | BCW66KHE6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Diodes/Zetex | Diodes/Zetex | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <800 мА | <1 А | <1 А | <800 мА | <800 мА | <800 мА | <800 мА | <800 мА | <800 мА | <800 мА | <800 мА | <800 мА | <800 мА | <800 мА | <800 мА | <800 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | |||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <330 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <330 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <330 мВт | <330 мВт | <330 мВт | <330 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <170 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <170 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <170 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||||||||||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | <20 нА | <20 нА | (не задано) | <20 нА | <20 нА | <20 нА | (не задано) | (не задано) | <20 нА | <20 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |