На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BCW65ALT1 | BCW65ALT1G | BCW65CLT1 | BCW65CLT1G | BCW65CTA | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Diodes/Zetex |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <800 мА | ||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <32 В | ||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <225 мВт | <300 мВт | <225 мВт | <300 мВт | <330 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >35Ic, Vce = 100µA, 10V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >80Ic, Vce = 100µA, 10V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | ||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <20 нА | ||||