На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BCW61AE6327 | BCW61AMTF | BCW61B,215 | BCW61BE6327 | BCW61BMTF | BCW61C,215 | BCW61C,235 | BCW61CE6327 | BCW61CMTF | BCW61CT116 | BCW61D,215 | BCW61DE6327 | BCW61DMTF | BCW61DTA | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor | Rohm Semiconductor | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor | Diodes/Zetex |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <200 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <200 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <32 В | |||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <330 мВт | <350 мВт | <250 мВт | <330 мВт | <350 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <330 мВт | <350 мВт | (не задано) | <250 мВт | <330 мВт | <350 мВт | <330 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >20Ic, Vce = 10µA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >30Ic, Vce = 10µA, 5V | >30Ic, Vce = 10µA, 5V | >140Ic, Vce = 2mA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >250Ic, Vce = 2mA, 5V | >250Ic, Vce = 2mA, 5V | >100Ic, Vce = 10µA, 5V | >100Ic, Vce = 10µA, 5V | >380Ic, Vce = 2mA, 5V | >380Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA | <550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA | <250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA | <550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA | <250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA | <550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA | (не задано) | <250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA | <550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA | <550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | (не задано) | <100 МГц | <250 МГц | (не задано) | <100 МГц | <100 МГц | <250 МГц | (не задано) | <180 МГц | <100 МГц | <250 МГц | (не задано) | <180 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||||||||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | <20 нА | (не задано) | (не задано) | <20 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <20 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <20 нА | <20 нА |