BCW60

BCW60, BCW60A, BCW60A_D87Z, BCW60B, BCW60B,215, BCW60B,235, BCW60BE6327, BCW60C, BCW60C,215, BCW60C,235, BCW60CE6327, BCW60CT116, BCW60D, BCW60D,215, BCW60D,235, BCW60DE6327, BCW60DT116, BCW60DTA, BCW60FFE6327

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		BCW60A	BCW60A_D87Z	BCW60B	BCW60B,215	BCW60B,235	BCW60BE6327	BCW60C	BCW60C,215	BCW60C,235	BCW60CE6327	BCW60CT116	BCW60D	BCW60D,215	BCW60D,235	BCW60DE6327	BCW60DT116	BCW60DTA	BCW60FFE6327
Корпус микросхемы	Корпус	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23
Производитель	Производитель	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Infineon Technologies	Fairchild Semiconductor	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Infineon Technologies	Rohm Semiconductor	Fairchild Semiconductor	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Infineon Technologies	Rohm Semiconductor	Diodes/Zetex	Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора	I_C	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<200 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<200 мА	<200 мА	<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<32 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<350 мВт	<350 мВт	<350 мВт	<250 мВт	<250 мВт	<330 мВт	<350 мВт	<250 мВт	<250 мВт	<330 мВт	(не задано)	<350 мВт	<250 мВт	<250 мВт	<330 мВт	(не задано)	<330 мВт	<330 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	>120Ic, Vce = 2mA, 5V	>120Ic, Vce = 2mA, 5V	>180Ic, Vce = 2mA, 5V	>20Ic, Vce = 10µA, 5V	>20Ic, Vce = 10µA, 5V	>20Ic, Vce = 10µA, 5V	>250Ic, Vce = 2mA, 5V	>40Ic, Vce = 10µA, 5V	>40Ic, Vce = 10µA, 5V	>40Ic, Vce = 10µA, 5V	>260Ic, Vce = 2mA, 5V	>380Ic, Vce = 2mA, 5V	>100Ic, Vce = 10µA, 5V	>100Ic, Vce = 10µA, 5V	>100Ic, Vce = 10µA, 5V	>380Ic, Vce = 2mA, 5V	>380Ic, Vce = 2mA, 5V	>40Ic, Vce = 10µA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора	U_CE-sat	<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA	<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA	<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA	<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA	<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA	<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA	<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA	<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA	(не задано)	<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA	<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA	<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA	(не задано)	<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA	<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<125 МГц	<125 МГц	<125 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<125 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<125 МГц	<125 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<125 МГц	<250 МГц	<250 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	NPN
Ток отсечки коллектора	I_frc	<20 нА	<20 нА	<20 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<20 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<20 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<20 нА	(не задано)