На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BCW31,215 | BCW31T116 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | Rohm Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <32 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | <350 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >190Ic, Vce = 10µA, 5V | >110Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | <200 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |