На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BCV47,215 | BCV47,235 | BCV47E6327 | BCV47E6433 | BCV47TA | BCV47TC | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Diodes/Zetex | Diodes/Zetex |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | |||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <60 В | |||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | <250 мВт | <360 мВт | <360 мВт | <330 мВт | <330 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >2000Ic, Vce = 1mA, 5V | >2000Ic, Vce = 1mA, 5V | >2000Ic, Vce = 100µA, 1V | >4000Ic, Vce = 100µA, 1V | >4000Ic, Vce = 10mA, 5V | >4000Ic, Vce = 10mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1 ВIb, Ic = 100µA, 100mA | |||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <220 МГц | <220 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <170 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Darlington | |||||